近日，我校物理科学与技术学院微电子科学与工程专业李强副教授作为第一作者，在国际知名期刊《IEEE Transactions on Power Electronics》（中国科学院分区为：一区Top期刊）2024年第5期在线发表了题为《A Fast Overcurrent Protection IC for SiC MOSFET Based on Current Detection  (译为：基于电流检测的SiC MOSFET过流保护芯片)》的研究成果。论文提出了一种基于电流检测的SiC MOSFET快速过流保护方法，为我校物理科学与技术学院在应用基础研究再添新绩，也为我校物理科学与技术学院的学术研究拓展了新的研究方向。